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工業3D打印機
產品圖片型號/價格DC-6080S框架高精獨特鈑金結構成型工藝FDM(熔融制造:兩進一出)噴頭數量1成型尺寸600*600*800mm層厚0.1~0.4m
2020-06-21 10:03
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湖北地創三維科技有限公司
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面議
3d打印機,3d掃描儀,3d打印服務,3d打印筆
2020-05-18 15:15
[湖北武漢市]
湖北地創三維科技有限公司
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1399.00
/臺
1臺起訂
3D打印機 創客教室 創客實驗室 3D掃描儀 逆向 定制 創客教育
2020-05-16 10:47
[湖北武漢市]
湖北地創三維科技有限公司
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面議
通用變頻器常用型號FP75R12KT3
FP75R12KT3技術參數: Ic(A),Tc=80℃ 75 Vce(sat),Max(V) 2.15 Ton(us) 0.29 Toff(us) 0.52 Rth(j-c),K/W 0.35 Pc(W) 355
2019-05-30 08:49
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武漢科琪電子有限公司
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1只起訂
逆變器常用型號FF450R12ME4
FF450R12ME4技術參數: Ic(A),Tc=80℃ 450 Vce(sat),Max(V) 2.1 Ton(us) 0.22 Toff(us) 0.62 Rth(j-c),K/W 0.066 Pc(W) 22
2019-05-30 08:49
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武漢科琪電子有限公司
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微弧氧化電源常用型號FZ1600R17KE3
FZ1600R17KE3技術參數: Ic(A),Tc=80℃ 1600 Vce(sat),Max(V) 2.45 Ton(us) 0.58 Toff(us) 1.5 Rth(j-c),K/W 0.014 Pc(W)
2019-05-30 08:49
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武漢科琪電子有限公司
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1只起訂
低壓變頻器常用型號FS100R12KT3
FS100R12KT3技術參數: Ic(A),Tc=80℃ 100 Vce(sat),Max(V) 2.15 Ton(us) 0.29 Toff(us) 0.52 Rth(j-c),K/W 0.26 Pc(W) 48
2019-05-30 08:49
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武漢科琪電子有限公司
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礦用變頻器常用型號FF200R33KF2C
FF200R33KF2C技術參數: Ic(A),Tc=80℃ 200 Vce(sat),Max(V) 4.25 Ton(us) 0.28 Toff(us) 1.55 Rth(j-c),K/W 0.0057 Pc(W)
2019-05-30 08:49
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武漢科琪電子有限公司
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1只起訂
高頻高壓電源常用型號FZ900R12KE4
FZ900R12KE4技術參數: Ic(A),Tc=80℃ 900 Vce(sat),Max(V) 2.1 Ton(us) 0.26 Toff(us) 0.66 Rth(j-c),K/W 0.035 Pc(W) 43
2019-05-30 08:49
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武漢科琪電子有限公司
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中低壓變頻器常用型號FP35R12W2T4
FP35R12W2T4技術參數: Ic(A),Tc=80℃ 35 Vce(sat),Max(V) 2.25 Ton(us) 0.025 Toff(us) 0.31 Rth(j-c),K/W 0.7 Pc(W) 215
2019-05-30 08:49
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武漢科琪電子有限公司
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FZ600R12KS4
FZ600R12KS4技術參數: Ic(A),Tc=80℃600 Vce(sat),Max(V)3.7 Ton(us)0.11 Toff(us)0.55 Rth(j-c),K/W0.05 Pc(W)2500 封裝62mm 電
2019-05-30 08:49
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商用電磁爐常用型號FF300R12KS4
FF300R12KS4技術參數: Ic(A),Tc=80℃ 300 Vce(sat),Max(V) 3.75 Ton(us) 0.11 Toff(us) 0.55 Rth(j-c),K/W 0.064 Pc(W) 1
2019-05-30 08:49
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武漢科琪電子有限公司
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FF200R33KF2C
FF200R33KF2C技術參數: Ic(A),Tc=80℃200 Vce(sat),Max(V)4.25 Ton(us)0.28 Toff(us)1.55 Rth(j-c),K/W0.0057 Pc(W)2200 封裝IH
2019-05-30 08:49
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高頻除塵電源常用型號FZ900R12KE4
FZ900R12KE4技術參數: Ic(A),Tc=80℃ 900 Vce(sat),Max(V) 2.1 Ton(us) 0.26 Toff(us) 0.66 Rth(j-c),K/W 0.035 Pc(W) 43
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英飛凌IGBT模塊FF600R17ME4
FF600R17ME4技術參數: Ic(A),Tc=80℃ 600 Vces(V) 1700 封裝 EconoDual3 電路結構 半橋性能概要: 采用第四代溝槽柵/場終止I
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